Полевой транзистор HYG011N04LS1TA — это высокоэффективный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в мощных электронных схемах. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой пропускной способности тока обеспечивает стабильную работу с минимальными потерями энергии.
Корпус формата TOLL гарантирует эффективный теплоотвод и позволяет работать при высоких нагрузках. Идеально подходит для инверторов, источников питания, DC-DC преобразователей и автомобильной электроники.
Преимущества:
- Высокий ток до 320А
- Низкое сопротивление канала (Rds(on))
- Стабильная работа при высоких температурах
- Эффективный теплоотвод (корпус TOLL)
- Подходит для силовых электронных схем
- Надёжность и долговечность
Технические характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение (Vds): 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 20 В
- Максимальный импульсный ток: до 660 А
- Максимальный постоянный ток: до 165 А
- Рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Сопротивление канала (Rds(on)): ~0.001 Ом
- Выходная ёмкость: ~1278 пФ
- Время нарастания: ~98 нс
- Максимальная температура перехода: 175°C
Корпус и исполнение:
- Тип корпуса: TOLL
- Маркировка: G011N04
-
Модель: HYG011N04LS1TA
